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DDRSDRAM內(nèi)存發(fā)展歷程-創(chuàng)新互聯(lián)

DDR SDRAM是具有雙倍數(shù)據(jù)傳輸率的SDRAM,其數(shù)據(jù)傳輸速度為系統(tǒng)時鐘頻率的兩倍,由于速度增加,其傳輸性能優(yōu)于傳統(tǒng)的SDRAM。DDR SDRAM 在系統(tǒng)時鐘的上升沿和下降沿都可以進行數(shù)據(jù)傳輸。 SDRAM 在一個時鐘周期內(nèi)只傳輸一次數(shù)據(jù),它是在時鐘上升期進行數(shù)據(jù)傳輸;而DDR則是一個時鐘周期內(nèi)可傳輸兩次數(shù)據(jù),也就是在時鐘的上升期和下降期各傳輸一次數(shù)據(jù)。下面英尚微電子介紹DDR SDRAM內(nèi)存發(fā)展歷程。
 
(1) DDR SDRAM
 
DDR SDRAM雙倍數(shù)據(jù)率同步動態(tài)隨機存取存儲器,它是SDR SDRAM的升級版,DDR SDRAM在時鐘周期的上升沿與下降沿各傳輸一次信號,使得它的數(shù)據(jù)傳輸速度是 SDR SDRAM 的兩倍,而且這樣做還不會增加功耗,至于定址與控制信號與SDR SDRAM相同,僅在上升沿傳輸,這是對當(dāng)時內(nèi)存控制器的兼容性與性能做的折中。
 
DDR SDRAM采用184pin的DIMM插槽,防呆缺口從SDR SDRAM時的兩個變成一個,常見工作電壓2.5V,初代DDR內(nèi)存的頻率是200MHz,隨后慢慢的誕生了DDR-266、DDR-333和那個時代主流的DDR-400,至于那些運行在500MHz,600MHz、700MHz的都算是超頻條了,DDR內(nèi)存剛出來的時候只有單通道,后來出現(xiàn)了支持雙通芯片組,讓內(nèi)存的帶寬直接翻倍,兩根DDR-400內(nèi)存組成雙通道的話基本上可以滿足FBS 800MHz的奔騰4處理器,容量則是從128MB到1GB。

 
(2) DDR2 SDRAM DDR2/DDR II SDRAM是由JEDEC進行開發(fā)的新生代內(nèi)存技術(shù)標(biāo)準(zhǔn),它與上一代DDR內(nèi)存技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)大的不同就是,雖然同是采用了在時鐘的上升/下降沿同時進行數(shù)據(jù)傳輸?shù)幕痉绞?,?DDR2SDRAM 內(nèi)存卻擁有兩倍于上一代DDR內(nèi)存預(yù)讀取能力(即:4bit數(shù)據(jù)讀預(yù)取)。換句話說,DDR2內(nèi)存每個時鐘能夠以4倍外部總線的速度讀/寫數(shù)據(jù),并且能夠以內(nèi)部控制總線4倍的速度運行。
 
DDR2的標(biāo)準(zhǔn)電壓下降至1.8V,這使得它較上代產(chǎn)品更為節(jié)能,DDR2的頻率從400MHz到1200MHz,當(dāng)時的主流的是DDR2-800,更高頻率其實都是超頻條,容量從256MB起步大4GB,不過4GB的DDR2是很少的,在DDR2時代的末期大多是單條2GB的容量。
 
(3) DDR3 SDRAM DDR3提供了相較于DDR2 SDRAM更高的運行效能與更低的電壓,是DDR2 SDRAM的后繼者(增加至八倍),也是現(xiàn)時流行的內(nèi)存產(chǎn)品規(guī)格。

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